SELF BIAS

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Jurnal

2. Prinsip Kerja

3. Video Percobaan

4. Analisa

5. Video Penjelasan  

6. Download File  

1. Jurnal[Kembali]

2. Prinsip Kerja[Kembali]

    Rangkaian self bias  ini menggunakan rangkaian pembagi tegangan (voltage divider) dari 2 buah resistor, dimana titik pembagian tegangan diubungkan ke kaki basis transistor. Prinsip kerja rangkaian self bias menggunakan resistor untuk menentukan titik kerja transistor. 

 Tegangan antara basis dan emitor (VBE) diperlukan agar transistor bekerja dalam mode aktif. Tegangan VBE biasanya pada rentang 0,6 hingga 0,7 volt untuk transistor silikon.rangkaian self-bias, menggunakan resistor basis (RB) dan resistor kolektor (RC) . Nilai-nilai RB dan RC ini akan mempengaruhi titik kerja transistor. Rangkaian pembagi tegangan dibentuk oleh resistor basis (RB) dan resistor kolektor (RC). Tegangan Vcc dibagi antara RB dan RC. 

    Nilai VBE yang dihasilkan dari pembagian tegangan harus lebih besar dari nilai VBE yang diperlukan untuk menjaga transistor dalam mode aktif. Rangkaian self-bias dirancang untuk mencapai stabilitas tegangan bias (VBE) terhadap perubahan temperatur dan variasi parameter transistor. Ini adalah salah satu keunggulan utama dari rangkaian ini. Setelah rangkaian diatur, transistor akan berada pada titik kerja yang stabil, di mana ia dapat menguatkan sinyal input dengan baik. Titik kerja ini dapat ditemukan dengan menganalisis kurva karakteristik transistor dan memastikan bahwa transistor beroperasi dalam daerah aktifnya.

3. Video Percobaan[Kembali]

4. Analisa[Kembali]

1. Analisa prinsip kerja dari rangkaian self bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan

jawab : 

    Prinsip kerja rangkaian self bias yaitu input dari Vcc sebesar 12V akan mengalirkan arus pada dua arah yaitu menuju RC dan RB. dimana RC sebesar 1k ohm dan RB sebesar 10k ohm. yang  akan menghasikan nilai Ib dan Ic (dapat diukur menggunakan multimeter) yang mana arus yang melalui RB akan masuk ke transistor melalui kaki base kemudian menuju kaki emitter lalu melalui RE(dimana nilai RE sebesar 470 ohm) barulah diunpankan ke ground. sedangkan arus yang melalui RC akan masuk ke transistor melalui kaki kolektor kemudian menuju kaki emitter lalu melalui RE kemudian barulah diunpankan ke ground.  Arus yang mengalir melalui Kaki Base ke Kaki emitter akan menghasilkan tegangan VBE yang dapat diukur menggunakan Voltmeter, sedangkan  Arus yang mengalir melalui Kaki kolektor ke kaki emitter dan akan menghasilkan tegangan VCE yang dapat diukur dengan Voltmeter. Arus yang melalui RB lalu masuk ke kaki base akan menghasilkan tegangan VRB dan arus yang mengalir ke RC lalu ke kaki kolektor akan menghasilkan tegangan VRC. Arus Yang keluar melalui Kaki emitter lalu mengalir melalui RE akan menghasilkan tegangan RE (VRE).

2. Tentukan titik kerja (Q Point) dari percobaan self bias(dalam bentuk grafik)

jawab :

3. Nilai apakah yang mempengaruhi perubahan titik kerja (Q point) 

jawab :

• Nilai Tegangan Sumber (Vcc): Nilai tegangan sumber (Vcc) akan memengaruhi tingkat potensial tegangan kolektor-emitor (Vce) yang tersedia saat transistor beroperasi. Peningkatan Vcc akan mengubah karakteristik operasi transistor dan Q Point
• Nilai Resistor Emitter (RE): Nilai resistor emitter (RE) adalah salah satu faktor utama yang mempengaruhi titik kerja dalam self bias. Semakin besar nilai RE, semakin besar tegangan emitter (Ve), yang akan mengubah arus basis (Ib) dan arus kolektor (Ic). Perubahan RE dapat memindahkan Q Point pada karakteristik transistor.
• Nilai Resistor Kolektor (RC): Nilai resistor kolektor (RC) juga dapat memengaruhi arus kolektor (Ic) dan tegangan kolektor-emitor (Vce). Semakin besar RC, semakin kecil Ic, dan Vce cenderung meningkat. Perubahan RC juga dapat memengaruhi Q Point.
• Nilai-nilai Parameter Transistor: Seperti pada rangkaian fixed bias, karakteristik transistor, seperti hfe (gain arus), Vbe (tegangan basis-emitor), dan Vce (tegangan kolektor-emitor), dapat berbeda antara transistor yang berbeda. Penggunaan transistor dengan parameter yang berbeda akan memengaruhi Q Point.
• Perubahan Temperatur: Suhu lingkungan dapat memengaruhi karakteristik transistor dan resistansi resistor. Penurunan suhu akan meningkatkan hfe dan mengurangi Vbe, yang dapat memindahkan Q Point.
• Toleransi Komponen: Nilai resistor yang sebenarnya mungkin memiliki toleransi tertentu. Variabilitas dalam nilai-nilai ini juga dapat memengaruhi Q Point.

5. Video Penjelasan[Kembali]

6. Download File[Kembali]

Download Video Percobaan [disini]

Download Video Penjelasan [ disini]